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炭化硅
炭化硅
2022-01-08T17:01:34+00:00
碳化硅百度百科
网页碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。网页2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
碳化硅(SiC)的前世今生！ 知乎
网页2021年3月13日 其中碳化硅 和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。历史上人类次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。在经历了百年 网页2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
碳化硅百度百科
网页2022年8月24日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。网页2022年5月13日 碳化硅 凭借其优良的物理化学性质获得了广泛的应用，迅速占领了半导体材料市场的半壁江山。随着生产成本的不断下降，优异的性能让碳化硅在功率器件的行业中实现了对硅单质半导体的逐步取代。而面对世界范围内发展空间巨大的碳化硅 一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号
碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？EDN 电子技术设计
网页2020年9月2日 碳化硅较硅有何性能优势？ 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。 SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。 SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有 网页2023年4月23日 SiC碳化硅单晶的生长原理 叶子落了 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的 SiC碳化硅单晶的生长原理 知乎
第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析EDN 电子技术设计
网页2022年7月28日 第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析 时间： 15:03:07 作者：刘全璞、李奕锠，作者依序为成功大学材料科学及工程学系教授、博士生 SiC功率电子是加速电动车时代到来的主要动能。 以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不仅能使电力移转时的能源损耗降低 网页2023年4月23日 所有的真理都是被发现的，而不是发明的！ 走向电芯和你的心里。 炭包覆制备硅碳复合物是对硅负极材料常用的改性方式，碳壳一方面能够限制硅充放电过程的体积变化，减缓 SEI 膜的破裂；另一方面能够对硅的导电 性有一定的提升。 以 (a)酚醛树脂炭化、 不同材料包覆对硅碳复合物的性能影响 知乎
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网页碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。网页2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
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网页2021年3月13日 其中碳化硅 和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。历史上人类次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。在经历了百年 网页2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
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网页2022年8月24日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。网页2022年5月13日 碳化硅 凭借其优良的物理化学性质获得了广泛的应用，迅速占领了半导体材料市场的半壁江山。随着生产成本的不断下降，优异的性能让碳化硅在功率器件的行业中实现了对硅单质半导体的逐步取代。而面对世界范围内发展空间巨大的碳化硅 一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号
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网页2020年9月2日 碳化硅较硅有何性能优势？ 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。 SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。 SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有 网页2023年4月23日 SiC碳化硅单晶的生长原理 叶子落了 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的 SiC碳化硅单晶的生长原理 知乎
第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析EDN 电子技术设计
网页2022年7月28日 第三代半导体——碳化硅材料之制程与分析 时间： 15:03:07 作者：刘全璞、李奕锠，作者依序为成功大学材料科学及工程学系教授、博士生 SiC功率电子是加速电动车时代到来的主要动能。 以SiC MOSFET取代目前的Si IGBT，不仅能使电力移转时的能源损耗降低 网页2023年4月23日 所有的真理都是被发现的，而不是发明的！ 走向电芯和你的心里。 炭包覆制备硅碳复合物是对硅负极材料常用的改性方式，碳壳一方面能够限制硅充放电过程的体积变化，减缓 SEI 膜的破裂；另一方面能够对硅的导电 性有一定的提升。 以 (a)酚醛树脂炭化、 不同材料包覆对硅碳复合物的性能影响 知乎
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