当前位置：首页 > 产品中心
SIC磨粉雷磨机SIC磨粉雷磨机SIC磨粉雷磨机
SIC磨粉雷磨机SIC磨粉雷磨机SIC磨粉雷磨机
2021-05-05T19:05:32+00:00
直面驱动四大挑战，让碳化硅如愿以偿 知乎 知乎专栏
Web过去的一年，作为第三代半导体的典型代表，碳化硅（SiC）器件着实火了一把，其高工作温度、高击穿场强、高耐压、高热导率、高功率密度以及高可靠性，为设计师打造具有竞 SiC–SiC matrix composite is a particular type of ceramic matrix composite (CMC) which have been accumulating interest mainly as high temperature materials for use in applications such as gas turbines, as an alternative to metallic alloys CMCs are generally a system of materials that are made up of ceramic fibers or particles that lie in a ceramic matrix phase In this case, a SiC/SiC composite is made by having a SiC (silicon carbide) matrix phase and a fiber phase incorporateSiC–SiC matrix composite Wikipedia
为什么要用4HSiC？ 知乎
Web3CSiC这种不稳定性使得它很难以一个合理的速率生长大的3CSiC晶锭，所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以 3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS Web基因碳化硅 是碳化硅技术的先驱和世界领先者, 同时还投资于高功率硅技术 全球领先的工业和国防系统制造商依靠 GeneSiC 的技术来提升其产品的性能和效率 基因碳化硅 技术在各种高功率系统中在节能方面发挥着关键作 GeneSiC 半导体 SiC and High Power Silicon Solutions
Microchip SiC产品和驱动解决方案
Web随着市场对电源的高效率和高密度的要求越来越高，特别是在电动汽车，新能源，工业和交通运输等领域，SiC器件的应用越来越广泛。 本课程将介绍Microchip SiC器件和驱动解决 Web2022 碳化硅（SiC）产业调研白皮书由行家说产业研究中心等各环节企业联合参编出品，旨在通过这一载体展现技术、成本、产业链进度等，描绘第三代半导体产业应用蓝图。行家说《2022 碳化硅（SiC）产业调研白皮书》
【基础知识】碳化硅陶瓷基复合材料行业深度报告 搜狐
WebOct 7, 2017 SiC/SiC 陶瓷基复合材料保留了 SiC 陶瓷耐高温、高强度、抗氧化、耐腐蚀、耐冲击的优点，同时兼具 SiC 纤维增强增韧作用，克服了 SiC 陶瓷断裂韧性低和抗外部 WebJul 6, 2020 图6 C/SiC在激光加工中产生的缺陷：(a)纤维断裂；(b)基体缺失；(c)微裂纹 在CMCSiC的激光加工过程中，表面氧化同样是一项需要重点控制的加工缺陷。SiC是CMCSiC的主要构成成分，受到脉冲辐照所产生 CMCSiC碳化硅陶瓷基复合材料激光刻蚀技术钧杰陶瓷
碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
WebSiC 材料具有3 倍于硅材料的禁带宽度，10 倍于硅 材料的临界击穿电场强度，3 倍于硅材料的热导率， 因此SiC 功率器件适合于高频、高压、高温等应用 场合，且有助于电力电子系统的效率和功率密度的 提升。 自2001年Infineon推出款商业SiC二极管WebSiC–SiC matrix composite is a particular type of ceramic matrix composite (CMC) which have been accumulating interest mainly as high temperature materials for use in applications such as gas turbines, as an alternative to metallic alloysSiC–SiC matrix composite Wikipedia
SiC应用最大痛点：不谈技术，只谈成本 知乎
WebGiovanni Luca Sarica解释说：“当采用SiC时，开关频率可以设计得更高，这将提高器件的能效，降低无源元件的尺寸和成本，因为无源元件在应用系统总成本中占比很高。 此外，当采用较小的无源元件时，还可以缩减模块 Web随着对碳化硅(SiC)技术需求的激增，一些第三方代工厂商正在进入或扩大他们在该领域的努力。 然而，对碳化硅代工供应商和他们的客户来说，要想在市场上取得显著的进展并不容易。 它们正面临来自Cree、英飞凌(Infineon)、Rohm和意法半导体(STMicroelectronics)等传统SiC器件供应商的激烈竞争。碳化硅(SiC)代工业务即将兴起？ 知乎
[Sic]: How to Use Correctly Editor’s Manual
WebSep 23, 2022 Usage guide Use sic to indicate that quoted text has been reproduced exactly without any changes or corrections to spelling or grammar In formal writing, sic is generally italicized and enclosed in brackets In news copy, it is often enclosed in parentheses In some styles, sic is no longer italicized (eg, MLA style), although other WebAug 10, 2021 下面，我们将从SiC衬底、SiC外延、SiC器件三个领域来梳理相关标的。 一、SiC衬底：衬底在SiC器件成本中占比最高，约占50%，存在较多技术瓶颈，是SiC技术的攻克重点。 国内的第三代半导体研发，有三大主力：中科院物理所、山东大学、中科院上海硅 第三代半导体相关标的梳理之SiC领域 大家好，我是半导体研讨君
【基础知识】碳化硅陶瓷基复合材料行业深度报告
WebOct 7, 2017 SiC/SiC 陶瓷基复合材料保留了 SiC 陶瓷耐高温、高强度、抗氧化、耐腐蚀、耐冲击的优点，同时兼具 SiC 纤维增强增韧作用，克服了 SiC 陶瓷断裂韧性低和抗外部冲击载荷性能差的先天缺陷。 这种材料可以在 1316°C 的高温环境下保待其理化特性不退化。 当 SiC/SiC 材料表面喷有热障涂层时，其最高工作温度可继续增加至 1480°C。 尽管现代商 WebJul 18, 2022 圖2：SiC前段應用產業鏈與關鍵標竿廠商關聯圖。 SiC晶圓成長 產業鏈所有元件的步皆始於晶圓，上游晶圓廠扮演了提供高品質晶圓以製作元件之重要基礎角色。在矽晶圓的製作技術上目前已經相當成熟，但在SiC晶圓方面，仍有長足的進步空間。第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 電子工程專輯
富士混合型 SiC 模块 应用手册
Web由于混合型sic模块使用的sicsbd为单极型器件，故没有反向恢复。 （实际上受到结电容的影响，会有小电流流过，但与pin二极管比起来，损耗要小很多。） （2） 开通损耗特性 图24是混合型sic模块和si模块的开通损耗特性曲线。sicsbd的结电容充电电流会影响对桥 Web同时，SiC MOSFET开关速度快，开关过程中栅极电压更容易发生震荡，如果震荡超过其栅极耐压能力，则有可能导致器件栅极可靠性退化或直接损坏。 很多电源工程师刚刚接触SiC MOSFET不久，往往会在驱动电压测量上遇到问题，即测得的驱动电压震荡幅值较大、存在 测试SiC开关特性，波形振荡很严重，该怎么办？ 知乎
SIC插槽，WSIC插槽，XSIC插槽Mr Sun的博客CSDN博客
WebAug 15, 2021 SIC插槽，WSIC插槽，XSIC插槽 如下图，右上最小的插槽是SIC插槽；下面，或者左面宽一点的是WSIC插槽；最下面最大，最宽的是XSIC插槽。 图中共有2个sic，3个wsic，4个xsic。Web作为在碳化硅 (SiC)技术发展方面拥有近30年历史的全球领先的半导体供应商，英飞凌提供了广泛的基于汽车级碳化硅产品组合和应用解决方案，全面助力汽车电动化。 这里有个2分钟的视频大家可以快速了解一下英飞凌SiC的介绍 如果您想进一步了解碳化硅，可以阅读英飞凌独家的关于 SiC的中文白皮书 。 只要大家关注 @ 英飞凌 知乎账号，私信发送“SiC白皮 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有什么优势？ 知乎
碳化矽為何讓人又愛又恨？ 電子工程專輯
WebSep 5, 2019 SiC領域的專業人士對SiC元件往往是 「又愛又恨」。 一方面，SiC元件具有高壓、高頻和高效率的優勢，在縮小體積的同時提高了效率，為市場帶來的機遇也遠遠大於挑戰。 但另一方面，SiC在製造和應用方面又面臨很高的技術要求，如何降低使用門檻成為業界熱議的話題。 ST總裁兼技術長JeanMarc Chery認為，業界需要在短期內應對兩個關鍵挑 WebMay 12, 2021 中国进军SiC胜算几何 目前，在以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料研究和部署方面，美、日、欧仍处于世界领先地位。 由于其未来战略意义，我国对于宽禁带半导体材料器件研发正进行针对性规划和布局，其中“十三五”国家科技创新规划中也将其作为重点 全球半导体大厂加码SiC，中国胜算几何？电子工程专辑
8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院
WebApr 27, 2022 国际上8英寸SiC单晶衬底研制成功已有报道，但尚未有产品投放市场。 8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶体开裂问题。 在已有的研究 WebSep 23, 2022 Usage guide Use sic to indicate that quoted text has been reproduced exactly without any changes or corrections to spelling or grammar In formal writing, sic is generally italicized and enclosed in brackets In news copy, it is often enclosed in parentheses In some styles, sic is no longer italicized (eg, MLA style), although other [Sic]: How to Use Correctly Editor’s Manual
碳化矽為何讓人又愛又恨？ 電子工程專輯
WebSep 5, 2019 SiC領域的專業人士對SiC元件往往是 「又愛又恨」。 一方面，SiC元件具有高壓、高頻和高效率的優勢，在縮小體積的同時提高了效率，為市場帶來的機遇也遠遠大於挑戰。 但另一方面，SiC在製造和應用方面又面臨很高的技術要求，如何降低使用門檻成為業界熱議的話題。 ST總裁兼技術長JeanMarc Chery認為，業界需要在短期內應對兩個關鍵挑 WebAug 10, 2021 二、SiC外延片： 外延片在SiC器件的成本中占比在25%左右，次于衬底，且技术难度相对较低。 这个领域，国内做得比较好的是东莞天域和瀚天天成两家公司。 5、东莞天域 天域 (TYSiC)成立于2009年，它是中国家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造的私营企业，也是中国家获得汽车质量认证 (IATF 16949)的碳化硅半导 第三代半导体相关标的梳理之SiC领域 雪球
全球半导体大厂加码SiC，中国胜算几何？电子工程专辑
WebMay 12, 2021 中国进军SiC胜算几何 目前，在以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料研究和部署方面，美、日、欧仍处于世界领先地位。 由于其未来战略意义，我国对于宽禁带半导体材料器件研发正进行针对性规划和布局，其中“十三五”国家科技创新规划中也将其作为重点 Web1 SiC器件关键工艺 SiC材料的特殊性和特殊的器件用途与使用环境，使得SiC器件的制作工艺与Si以及GaAS器件工艺存在一定的差异，因此要研制高质量的SiC器件或提高现有器件的性能指标，必须首先深入研究相应的关键工艺技术。 11 SiC的掺杂工艺深入探讨碳化硅工艺：半导体材料的新一代继承者 Sekorm
第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 電子工程專輯
WebJul 18, 2022 SiC粉末內雜質會變成缺陷的起源點，所以需要極高純度以確保晶圓能維持較低的缺陷密度。 除了晶圓成長參數控制外，上游原料SiC粉末的選用亦至關重要。 對於SiC粉末的合成，除適當的合成反應外，應盡可能維持合成時的純度以降低雜質帶來的影響，以下介紹各種SiC粉末合成法。 1艾奇遜法 (Acheson process) 艾奇遜法為個將SiC粉末投入 WebMar 30, 2022 SiC器件可在更高的频率下开关 (100千赫+与20千赫)，从而允许减少任何电感或变压器的尺寸和成本，同时提高能效。 此外，SiC可以比GaN处理更大的电流。 总结GaN与SiC的比较，以下是重点： GaN的开关速度比Si快。 SiC工作电压比GaN更高。 SiC需要高的门极驱动电压。 超级结MOSFET正逐渐被GaN和SiC取代。 SiC似乎是车载充电 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你
测试SiC开关特性，波形振荡很严重，该怎么办？ 知乎
WebSiC MOSFET相较于Si MOS和IGBT能够显著提高变换器的效率和功率密度，同时还能够降低系统成本，受到广大电源工程师的青睐，越来越多的功率变换器采用基于SiC MOSFET的方案。 SiC MOSFET与Si开关器件的一个重要区别是它们的栅极耐压能力不同，Si开关器件栅极耐压能力一般都能够达到±30V，而SiC MOSFET栅极正压耐压能力一般在+20V WebJul 24, 2019 相对Si功率器件，SiC在 二极管 和 晶体管 的优势特征如下。 在二级管中，SiFRD构造电压可以达到250V，而换成SiC电压则可达到4000V左右；晶体管中SiMOSFET可以做到900V，市场上也有1500V的，但特性会差些，而SiC产品电压可达3300V。 那么在功率半导体的所有使用场景中，SiCMOSFET处于什么位置呢？ 下图坐标轴的横轴是开关 啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼 ElecFans
SIC插槽，WSIC插槽，XSIC插槽Mr Sun的博客CSDN博客
WebAug 15, 2021 SIC插槽，WSIC插槽，XSIC插槽 如下图，右上最小的插槽是SIC插槽；下面，或者左面宽一点的是WSIC插槽；最下面最大，最宽的是XSIC插槽。 图中共有2个sic，3个wsic，4个xsic。WebApr 27, 2022 国际上8英寸SiC单晶衬底研制成功已有报道，但尚未有产品投放市场。 8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶体开裂问题。 在已有的研究 8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院 CAS
富士混合型 SiC 模块 应用手册 Fuji Electric
Web由于混合型sic模块使用的sicsbd为单极型器件，故没有反向恢复。 （实际上受到结电容的影响，会有小电流流过，但与pin二极管比起来，损耗要小很多。） （2） 开通损耗特性 图24是混合型sic模块和si模块的开通损耗特性曲线。sicsbd的结电容充电电流会影响对桥 WebOct 10, 2020 SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体，在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用。然而SiC热氧化生成SiO 2 的过程具有各向异性，导致不同晶面上的氧化速率差异较大，这会对半导体器件的性能产生不利影响，因而研究SiC各个晶面上SiO 2 的生 SiC半导体不同晶面氧化机理及动力学的研究进展
科学网—[转载]第三代SiC纤维及SiCf/SiC复合材料研究进展 王洪
WebApr 13, 2020 1 第三代SiC纤维 典型的第三代SiC纤维有日本碳公司的HiNicalon S纤维、日本宇部兴产公司的Tyranno SA纤维、美国道康宁公司的Sylramic纤维（SylramiciBN）和我国国防科技大学的KDSA和KDS纤维， 这几种纤维的制备工艺和性能各有特点。 一般来说先驱体转化法制备SiC